在硅占据主导地位数十年后，两种较新的材料——碳化硅和氮化镓——已经开始占领价值数十亿美元的市场。例如，碳化硅现在是电动汽车逆变器和充电器的首选半导体。如果大家最近为智能手机或笔记本电脑购买了壁式充电器，那么很可能充电器就采用了氮化镓。 基于宽禁带半导体的新型材料具有许多优越的特性，它们正在占据充电器和其他电力电子应用市场。然而宽禁带技术仍然存在根本性的弱点。对于碳化硅晶体管来说，一个很大的问题是沟道中电子的迁移率相对较低，沟道是器件栅极下方的区域，电流通过该区域在源极和漏极之间流动。这种低迁移