瑞萨电子与氮化镓（GaN）器件领导者Transphorm宣布，双方已达成最终收购协议。根据协议，瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm，这一价格较Transphorm在1月10日的收盘价溢价约35%，总估值约为3.39亿美元。

此次收购标志着瑞萨电子在扩展其业务范围和加速进入快速增长市场方面迈出了重要一步。通过收购Transphorm，瑞萨电子将获得自主的GaN技术， 亿配芯城 该技术有望在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源和工业电力转换等关键领域中发挥重要作用。

GaN技术的优势在于其高效、高功率密度和高温性能，这些特性使其成为下一代电力电子设备的理想选择。通过将Transphorm的GaN技术与瑞萨电子的半导体解决方案相结合，有望推动电动汽车、数据中心和其他领域的创新和增长。

瑞萨电子的子公司表示，此次收购将为其带来强大的技术实力和市场竞争力，并加速公司在快速增长市场中的发展。Transphorm团队的专业知识和技术能力将为瑞萨电子的持续创新提供支持，并推动公司在未来的业务增长。

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